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在将运算放大器作为比较器使用，可将四运算放大器芯片中未用到的一路用作比较器。但当您有一路空闲的运算放大器，但又不需要比较器时，应该如何处理呢？
如果运算放大器过驱动，输出级将会饱和到其中的一个电源轨，而且将消耗过多的电能。在未用运算放大器的许多常见配置中，都会导致过驱动。
如果所有端都空置，则存在着一定风险，杂散静电电场会引起输入超出电源轨，这可能会导致闭锁，甚至损坏整个芯片。即使没有发生闭锁，直流电场也可能引起放大器饱和，并造成功率浪费。另外，放大器可能会放大交流电场，而且如果存在过驱动的话，它本身的电源电流将受到大幅度的调制，并在片上其它放大器中引起串扰。
一些用户把一个输入连接到正电源，另一个输入连接到负电源，这同样会使输入饱和并浪费功率，也可能超过差分输入额定值并损坏器件。即使器件没有损坏，在这些条件下，一些输入级会汲取几十毫安的电流，以致被浪费的功率甚至会更多。
而将两个输入都接地，或把它们短接到某个其它电位，也会引起输出级饱和，这是由于运算放大器的失调电压绝不会完全为零；把它们短接在一起而进行偏置，同样存在上面提到的闭锁风险。
我们应该做的是，将这个器件连接成跟随器的形式(输出接到反相输入)，并将同相输入连接到电源轨之间的某个电位。对于双电源系统，地是理想的选择，但在单电源系统中连接到正或负电源，如果失调电压的极性错误，将引起饱和并导致功率浪费。由于运算放大器输入引起的负载很小，“电源轨之间的某个电位”可以是电路中任何电位合适的点。
或者您也可以将它用作缓冲放大器，把它加在系统某个并不是很需要的地方，但如果加上的话可能会稍好一些。
如果运算放大器过驱动，输出级将会饱和到其中的一个电源轨，而且将消耗过多的电能。在未用运算放大器的许多常见配置中，都会导致过驱动。
如果所有端都空置，则存在着一定风险，杂散静电电场会引起输入超出电源轨，这可能会导致闭锁，甚至损坏整个芯片。即使没有发生闭锁，直流电场也可能引起放大器饱和，并造成功率浪费。另外，放大器可能会放大交流电场，而且如果存在过驱动的话，它本身的电源电流将受到大幅度的调制，并在片上其它放大器中引起串扰。
一些用户把一个输入连接到正电源，另一个输入连接到负电源，这同样会使输入饱和并浪费功率，也可能超过差分输入额定值并损坏器件。即使器件没有损坏，在这些条件下，一些输入级会汲取几十毫安的电流，以致被浪费的功率甚至会更多。
而将两个输入都接地，或把它们短接到某个其它电位，也会引起输出级饱和，这是由于运算放大器的失调电压绝不会完全为零；把它们短接在一起而进行偏置，同样存在上面提到的闭锁风险。
我们应该做的是，将这个器件连接成跟随器的形式(输出接到反相输入)，并将同相输入连接到电源轨之间的某个电位。对于双电源系统，地是理想的选择，但在单电源系统中连接到正或负电源，如果失调电压的极性错误，将引起饱和并导致功率浪费。由于运算放大器输入引起的负载很小，“电源轨之间的某个电位”可以是电路中任何电位合适的点。
或者您也可以将它用作缓冲放大器，把它加在系统某个并不是很需要的地方，但如果加上的话可能会稍好一些。
下面是我对电源回流的理解，跟大家分享一下^_^(其中介绍的一些处理方法在国内外很多高速PCB电路里都有应用的)
这里简单构造了一个“场景”，结合下图介绍一下地回流和电源回流以及一些跨分割问题。为方便作图，把层间距放大。
IC1为信号输出端，IC2为信号输入端(为简化PCB模型，假定接收端内含下接电阻)第三层为地层。IC1和IC2的地均来自于第三层地层面。顶层右上角为一块电源平面，接到电源正极。C1和C2分别为IC1、IC2的退耦电容。图上所示的芯片的电源和地脚均为发、收信号端的供电电源和地。
在低频时，如果S1端输出高电平，整个电流回路是电源经导线接到VCC电源平面，然后经橙色路径进入IC1，然后从S1端出来，沿第二层的导线经R1端进入IC2，然后进入GND层，经红色路径回到电源负极。
但在高频时，PCB所呈现的分布特性会对信号产生很大影响。我们常说的地回流就是高频信号中经常要遇到的一个问题。当S1到R1的信号线中有增大的电流时，外部的磁场变化很快，会使附近的导体感应出一个反向的电流。如果第三层的地平面是完整的地平面的话，那么会在地平面上会有一个蓝色虚线标示的电流；如果TOP层有一个完整的电源平面的话，也会在顶层有一个沿蓝色虚线的回流。此时信号回路有最小的电流回路，向外辐射的能量最小，耦合外部信号的能力也最小。(高频时的趋肤效应也是向外辐射能量最小，原理是一样的。)
由于高频信号电平和电流变化都很快，但是变化周期短，需要的能量并不是很大，所以芯片是和离芯片最近的退耦电容取电的。当C1足够大，而且反应又足够快(有很低的ESR值，通常用瓷片电容。瓷片电容的ESR远低于钽电容。)，位于顶层的橙色路径和位于GND层的红色路径可以看成是不存在的(存在一个和整板供电对应的电流，但不是与图示信号对应的电流)。
因此，按图中构造的环境，电流的整个通路是：由C1的正极->IC1的VCC->S1->L2信号线->R1->IC2的GND->过孔->GND层的黄色路径->过孔->电容负极。可以看到，电流的垂直方向有一个棕色的等效电流，中间会感应出磁场，同时，这个环面也能很容易的耦合到外来的干扰。如果和图中信号为一条时钟信号，并行有一组8bit的数据线，由同一芯片的同一电源供电，电流回流途径是相同的。如果数据线电平同时同向翻转的话，会使时钟上感应一个很大的反向电流，如果时钟线没有良好的匹配的话，这个串扰足以对时钟信号产生致命影响。这种串扰的强度不是和干扰源的高低电平的绝对值成正比，而是和干扰源的电流变化速率成正比，对于一个纯阻性的负载来说，串扰电流正比于dI/dt=dV/(T10%-90%*R)。式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅)和R(干扰源负载)都是指干扰源的参数(如果是容性负载的话，dI/dt是与T10%-90%的平方成反比的。)。从式中可以看出，低速的信号未必比高速信号的串扰小。也就是我们说的：1kHZ的信号未必是低速信号，要综合考虑沿的情况。对于沿很陡的信号，是包含很多谐波成分的，在各倍频点都有很大的振幅。因此，在选器件的时候也要注意一下，不要一味选开关速度快的芯片，不仅成本高，还会增加串扰以及EMC问题。
任何相邻的电源层或其它的平面，只要在信号两端有合适的电容提供一个到GND的低电抗通路，那么这个平面就可以作为这个信号的回流平面。在平常的应用中，收发对应的芯片IO电源往往是一致的，而且各自的电源与地之间一般都有0.01-0.1uF的退耦电容，而这些电容也恰恰在信号的两端，所以该电源平面的回流效果是仅次于地平面的。而借用其他的电源平面做回流的话，往往不会在信号两端有到地的低电抗通路。这样，在相邻平面感应出的电流就会寻找最近的电容回到地。如果这个“最近的电容”离始端或终端很远的话，这个回流也要经过“长途跋涉”才能形成一个完整的回流通路，而这个通路也是相邻信号的回流通路，这个相同的回流通路和共地干扰的效果是一样的，等效为信号之间的串扰。
对于一些无法避免的跨电源分割的情况，可以在跨分割的地方跨接电容或RC串联构成的高通滤波器(如10欧电阻串680p电容，具体的值要依自己的信号类型而定，即要提供高频回流通路，又要隔离相互平面间的低频串扰)。这样可能会涉及到在电源平面之间加电容的问题，似乎有点滑稽，但肯定是有效的。如果一些规范上不允许的话，可以在分割处两平面分别引电容到地。
对于借用其它平面做回流的情况，最好能在信号两端适当增加几个小电容到地，提供一个回流通路。但这种做法往往难以实现。因为终端附近的表层空间大多都给匹配电阻和芯片的退耦电容占据了。
时间原因就先写这些…如果有遗漏或错误的地方请大家提醒。共同学习提高^_^。
这里简单构造了一个“场景”，结合下图介绍一下地回流和电源回流以及一些跨分割问题。为方便作图，把层间距放大。
IC1为信号输出端，IC2为信号输入端(为简化PCB模型，假定接收端内含下接电阻)第三层为地层。IC1和IC2的地均来自于第三层地层面。顶层右上角为一块电源平面，接到电源正极。C1和C2分别为IC1、IC2的退耦电容。图上所示的芯片的电源和地脚均为发、收信号端的供电电源和地。
在低频时，如果S1端输出高电平，整个电流回路是电源经导线接到VCC电源平面，然后经橙色路径进入IC1，然后从S1端出来，沿第二层的导线经R1端进入IC2，然后进入GND层，经红色路径回到电源负极。
但在高频时，PCB所呈现的分布特性会对信号产生很大影响。我们常说的地回流就是高频信号中经常要遇到的一个问题。当S1到R1的信号线中有增大的电流时，外部的磁场变化很快，会使附近的导体感应出一个反向的电流。如果第三层的地平面是完整的地平面的话，那么会在地平面上会有一个蓝色虚线标示的电流；如果TOP层有一个完整的电源平面的话，也会在顶层有一个沿蓝色虚线的回流。此时信号回路有最小的电流回路，向外辐射的能量最小，耦合外部信号的能力也最小。(高频时的趋肤效应也是向外辐射能量最小，原理是一样的。)
由于高频信号电平和电流变化都很快，但是变化周期短，需要的能量并不是很大，所以芯片是和离芯片最近的退耦电容取电的。当C1足够大，而且反应又足够快(有很低的ESR值，通常用瓷片电容。瓷片电容的ESR远低于钽电容。)，位于顶层的橙色路径和位于GND层的红色路径可以看成是不存在的(存在一个和整板供电对应的电流，但不是与图示信号对应的电流)。
因此，按图中构造的环境，电流的整个通路是：由C1的正极->IC1的VCC->S1->L2信号线->R1->IC2的GND->过孔->GND层的黄色路径->过孔->电容负极。可以看到，电流的垂直方向有一个棕色的等效电流，中间会感应出磁场，同时，这个环面也能很容易的耦合到外来的干扰。如果和图中信号为一条时钟信号，并行有一组8bit的数据线，由同一芯片的同一电源供电，电流回流途径是相同的。如果数据线电平同时同向翻转的话，会使时钟上感应一个很大的反向电流，如果时钟线没有良好的匹配的话，这个串扰足以对时钟信号产生致命影响。这种串扰的强度不是和干扰源的高低电平的绝对值成正比，而是和干扰源的电流变化速率成正比，对于一个纯阻性的负载来说，串扰电流正比于dI/dt=dV/(T10%-90%*R)。式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅)和R(干扰源负载)都是指干扰源的参数(如果是容性负载的话，dI/dt是与T10%-90%的平方成反比的。)。从式中可以看出，低速的信号未必比高速信号的串扰小。也就是我们说的：1kHZ的信号未必是低速信号，要综合考虑沿的情况。对于沿很陡的信号，是包含很多谐波成分的，在各倍频点都有很大的振幅。因此，在选器件的时候也要注意一下，不要一味选开关速度快的芯片，不仅成本高，还会增加串扰以及EMC问题。
任何相邻的电源层或其它的平面，只要在信号两端有合适的电容提供一个到GND的低电抗通路，那么这个平面就可以作为这个信号的回流平面。在平常的应用中，收发对应的芯片IO电源往往是一致的，而且各自的电源与地之间一般都有0.01-0.1uF的退耦电容，而这些电容也恰恰在信号的两端，所以该电源平面的回流效果是仅次于地平面的。而借用其他的电源平面做回流的话，往往不会在信号两端有到地的低电抗通路。这样，在相邻平面感应出的电流就会寻找最近的电容回到地。如果这个“最近的电容”离始端或终端很远的话，这个回流也要经过“长途跋涉”才能形成一个完整的回流通路，而这个通路也是相邻信号的回流通路，这个相同的回流通路和共地干扰的效果是一样的，等效为信号之间的串扰。
对于一些无法避免的跨电源分割的情况，可以在跨分割的地方跨接电容或RC串联构成的高通滤波器(如10欧电阻串680p电容，具体的值要依自己的信号类型而定，即要提供高频回流通路，又要隔离相互平面间的低频串扰)。这样可能会涉及到在电源平面之间加电容的问题，似乎有点滑稽，但肯定是有效的。如果一些规范上不允许的话，可以在分割处两平面分别引电容到地。
对于借用其它平面做回流的情况，最好能在信号两端适当增加几个小电容到地，提供一个回流通路。但这种做法往往难以实现。因为终端附近的表层空间大多都给匹配电阻和芯片的退耦电容占据了。
时间原因就先写这些…如果有遗漏或错误的地方请大家提醒。共同学习提高^_^。
难得半日清闲，看到留言板有网友留言问道这个问题，留一篇随笔，与各位网友共享。
当我们提到特性阻抗的时候，通常很少考虑它与频率的关系。其原因在于，特性阻抗是传输线的一个相当稳定的属性，主要和传输线的结构也就是横截面的形状有关。从工程的角度来说，把特性阻抗作为一个恒定量是合理的。说实话，搞了这么长时间的SI设计，还没碰到需要考虑特性阻抗变化的情况。
既然有网友一定要考虑这个问题，今天我们就稍稍深入一下，看看特性阻抗的真实面目。虽然没有太大的工程应用价值，但是对于理解问题还是有好处的。
特性阻抗是从理论上分析传输线时经常提到的一个量，从传输线的角度来说，它可以用下面的公式表示
---------------
Z0 = / L
/ ------
^/ C
L表示传输线的单位长度电感，C为单位长度电容。乍一看，似乎公式中没有任何变化的量。但是特性阻抗真的是个恒定的量吗？我们使用Polar软件对横截面固定的传输线进行扫频计算，频率范围定在100MHz~10GHz，来看看场求解器给出的结果，如下图：
你可能感到惊讶，特性阻抗随着频率的升高变小了，why？阻抗公式中那个量发生了变化？
其实这涉及到电磁学方面的一个深层次的问题。罪魁祸首是电感！！电感问题是个很复杂的问题，对电感的理论计算很繁琐，有兴趣的网友可以找资料看看电感的计算，详细的推导过程我就不在这里写了。简单的说，导线的电感由两部分组成：导线的内部电感和导线的外部电感。当频率升高时，导线的内部电感减小，外部电感不变，总电感减小，因而导致了特性阻抗减小。
我们知道，电感的定义是指围绕在电流周围的磁力线匝数。电感随频率减小，直觉告诉我们一定是导线中电流分布发生了变化。到这里我想各位网友应该豁然开朗了。趋肤效应（skin effect）你一定不会陌生。看看下面的这张图你会有更直观的感受，这是用二维场求解器仿真出来的高频时导体中电流的分布。黄色部分是电流所在位置。
当频率升高时，电流向导线表面集中，在导线内部电流密度减小，当然电感减小。电感的本质，是围绕在电流周围的磁力线匝数，注意“围绕在电流周围”这个说法。假设存在极端情况，导线内部电流完全消失，所有的电流集中在导体表面，磁力线当然没法再内部去环绕电流，内部电感消失。导线总电感减小，减小的那一部分就是导线的内部电感。当然这种说法不严谨，不过对直观的理解问题非常有帮助。
结论：
1、传输线的特性阻抗确实和频率有关，随着频率升高，特性阻抗减小，但会逐渐趋于稳定。
2、特性阻抗的变化的原因是导线的单位长度电感随频率升高而减小。
3、这种特性阻抗的变化很小，在工程应用中一般不用考虑它的影响。知道有这个事就是了。
当我们提到特性阻抗的时候，通常很少考虑它与频率的关系。其原因在于，特性阻抗是传输线的一个相当稳定的属性，主要和传输线的结构也就是横截面的形状有关。从工程的角度来说，把特性阻抗作为一个恒定量是合理的。说实话，搞了这么长时间的SI设计，还没碰到需要考虑特性阻抗变化的情况。
既然有网友一定要考虑这个问题，今天我们就稍稍深入一下，看看特性阻抗的真实面目。虽然没有太大的工程应用价值，但是对于理解问题还是有好处的。
特性阻抗是从理论上分析传输线时经常提到的一个量，从传输线的角度来说，它可以用下面的公式表示
---------------
Z0 = / L
/ ------
^/ C
L表示传输线的单位长度电感，C为单位长度电容。乍一看，似乎公式中没有任何变化的量。但是特性阻抗真的是个恒定的量吗？我们使用Polar软件对横截面固定的传输线进行扫频计算，频率范围定在100MHz~10GHz，来看看场求解器给出的结果，如下图：
你可能感到惊讶，特性阻抗随着频率的升高变小了，why？阻抗公式中那个量发生了变化？
其实这涉及到电磁学方面的一个深层次的问题。罪魁祸首是电感！！电感问题是个很复杂的问题，对电感的理论计算很繁琐，有兴趣的网友可以找资料看看电感的计算，详细的推导过程我就不在这里写了。简单的说，导线的电感由两部分组成：导线的内部电感和导线的外部电感。当频率升高时，导线的内部电感减小，外部电感不变，总电感减小，因而导致了特性阻抗减小。
我们知道，电感的定义是指围绕在电流周围的磁力线匝数。电感随频率减小，直觉告诉我们一定是导线中电流分布发生了变化。到这里我想各位网友应该豁然开朗了。趋肤效应（skin effect）你一定不会陌生。看看下面的这张图你会有更直观的感受，这是用二维场求解器仿真出来的高频时导体中电流的分布。黄色部分是电流所在位置。
当频率升高时，电流向导线表面集中，在导线内部电流密度减小，当然电感减小。电感的本质，是围绕在电流周围的磁力线匝数，注意“围绕在电流周围”这个说法。假设存在极端情况，导线内部电流完全消失，所有的电流集中在导体表面，磁力线当然没法再内部去环绕电流，内部电感消失。导线总电感减小，减小的那一部分就是导线的内部电感。当然这种说法不严谨，不过对直观的理解问题非常有帮助。
结论：
1、传输线的特性阻抗确实和频率有关，随着频率升高，特性阻抗减小，但会逐渐趋于稳定。
2、特性阻抗的变化的原因是导线的单位长度电感随频率升高而减小。
3、这种特性阻抗的变化很小，在工程应用中一般不用考虑它的影响。知道有这个事就是了。
设计高频电路用电路板有许多注意事项，尤其是GHz等级的高频电路，更需要注意各电子组件pad与印刷pattern的长度对电路特性所造成的影响。最近几年高频电路与数字电路共享相同电路板，构成所谓的混载电路系统似乎有增加的趋势，类似如此的设计经常会造成数字电路动作时，高频电路却发生动作不稳定等现象，其中原因之一是数字电路产生的噪讯，影响高频电路正常动作所致。为了避免上述问题除了设法分割两电路block之外，设计电路板之前充分检讨设计构想，才是根本应有的手法，基本上设计高频电路用电路板必需掌握下列三大原则:
1.高质感。
2.不可取巧。
3.不可仓促抢时间。
设计高频电路板的基本常识
以下是设计高频电路板的基本常识:
(a).印刷pattern的长度会影响电路特性。
尤其是传输速度为GHz高速数字电路的传输线路，通常会使用strip line，同
时藉由调整配线长度补正传输延迟时间，其实这也意味着电子组件的设置位置对电路特性具有绝对性的影响。
(b).Ground作大better。
铜箔面整体设置ground层，而连接via的better ground则是高频电路板与高速数字电路板共同的特征，此外高频电路板最忌讳使用幅宽细窄的印刷pattern描绘ground。
(c).电子组件的ground端子，以最短的长度与电路板的ground连接。
具体方法是在电子组件的ground端子pad附近设置via，使电子组件能以最短的长度与电路板的ground连接。
(d).信号线作短配线设计。
不可任意加大配线长度，尽量缩短配线长度。
(e).减少电路之间的结合。
尤其是filter与amplifier输出入之间作电路分割非常重要，它相当于audio电路的cross talk对策。
高频电路板的设计步骤
高频电路板的设计步骤大致上可整理成如下:
1.根据外筐尺寸的限制，决定电路板的大小。
2.制作印刷电路板外形，与library的data。
3.决定高频电路单元与信号处理单元的封装位置。
基本上高频电路单元与模拟/数字信号处理单元必需分开封装，分割方式有两种分别如下:
(a).将电路板正面与反面的的高频电路单元与数字信号处理单元分开，主要原因是数字电路的噪讯很容易流入高频电路单元，高频电路单元的背面设置数字电路时，必需避免两者的封装在相同角落上。
(b).将电路板对分成高频电路单元与数字信号处理单元各占一半的场合，高频电路单元的控制信号线回绕长度如果过过长时，很容易受到数字电路噪讯的影响
4.电路板设置电子组件。
组件设置作业对设计高频电路板而言具有决定性的影响，尤其是包含ground via与连接via的面积，以及如何确保电子组件之间的space等设计非常的重要，例如电子组件之间的space设计不当的话，将招致无法设置ground via，以及无法连接via等严重后果，也就是说电子组件的配置是否适宜，会使高频电路的性能产生重大变化。
5.设计配线
除了印刷pattern的配线之外，同时还需要调整line的阻抗(impedance)，并设置ground via。
6.检查配线
完成电路板data之后必需检查设计规范(rule)，尤其是检查print out的配线是否有任何设计上的疏失，如果电路板有正、反面辨识上的需求时，可提出数据数据要求厂商制作。
设计高频电路板的四大要诀
(一).利用印刷pattern取代被动电子组件的功能
照片1是1.5GHz RF增幅器电路板封装后的外观；图1是RF增幅器的电路layout图。该电路的噪讯值为0.6～0.7dB，电路板中央部位附近设有富士通编号为FHC30 FA的HEMT(High Electron Mobility Transistor)电子组件。图1中的MS组件是表示micro strip，由于电容与线圈的功能可利用micro strip实现，因此该电路并未使用被动电子组件。例如照片1之中与HEMT gate垂直延伸的印刷pattern (简称为open stub)，就可发挥电容的功能。此外基于增幅器的稳定性必需取得等化，因此input电路整合ГOPT (NF最小点)，output电路的阻抗(impedance)则作50Ω的设计整合。由于整合用的device也是用印刷pattern形成，所以实际设计电路板时必需将长度与宽度作严谨的配合。
照片1 高频电路板利用印刷pattern，取代被动电子组件设计实例
图1 照片1的1.5GHz RF增幅器电路图
(二).电子组件沿着信号传输方向排列，降低配线长度
照片2是800MHz RF增幅器电路板封装后的外观；图2是RF增幅器的电路layout图。图2中的低噪讯Transistor电子组件使用NEC的2SC5185，由可知照片2电子组件沿着信号传输方向排列，藉此降低配线长度。
照片2 电子组件沿着信号传输方向排列，降低配线长度的设计实例
图2 照片2的800MHz RF增幅器电路图
(三).Emitter 端子附近设置ground via
如照片2所示高频Transistor组件2SC5185两个Emitter具有四只脚(pin)，由照片可看见Emitter端子，pad的附近设有ground via，此种结构一般称为mini mo del type。如果via远离pad，增幅器的特性就会产生巨大变化，严重时甚至无法获得模拟分析预期的等化与阻抗(impedance)特性。从Emitter端子到via的配线，可因micro strip line的结构而产生组件特性，有关它的影响力将在后述章节中会以模拟分析方式深入探讨。总而言之在高频电路板，电子组件ground的处理非常重要。
(四).发热电子组件可利用ground面与金属筐体散热
照片3是800MHz RF送信机后段电路板封装后的外观，由照片可看见FET的source端子附近设有许多与ground层连接的via，这些via除了可以用低阻抗与ground层连接之外，还可将高频电路的送信单元产生的热能排除进而获得散热效果。这种散热方法尤其是对不易将发热组件的热能排除时，可透过电路板的ground铜箔面，将热能导至金属筐体协助散热，如果祇是为了散热，铜箔必需有70～100μm的厚度才能发挥预期的散热效果，因此电路板上的铜箔被视为有效的散热对策之一。
照片3 800MHz RF送信机后段，电路板增加散热用via的设计实例
波长对pattern长度的相关性
*波长与波长的关系
图4是12GHz micro strip edge couple BPF电路板封装后的外观，类似如此超高频的印刷pattern重合部位，不论是长度、宽度与间隔都需作高精度的要求，如果是图2所示的电路板封装方式，基本上不可能获得预期的高频特性。主要原因是两电路板处理的信号频率差异，使得电路板的layout方式也截然不同。假设空气中或是真空中的波长为λ(mm) ，频率为f(GHZ) 时，两者的关系式如下:
表1是利用式(1)试算波长与频率的结果。
频率(GHZ)
真空中的(mm)
1
300
2.4
125
5.6
53.6
12
25
表1 空气中或的波长与频率的关系
照片4 12GHz的micro strip edge couple BPF电路板的设计实例
*印刷电路板上的波长比真空中的波长短
在比诱电率为 的电路板上的信号波长会变短，这种现象称为波长缩短率 ，波长缩短率可用下式表示:
例如G10玻璃环氧树脂(glass epoxy)的 为4.8，如果将该值夜代入式(2)便可求得波长缩短率:
假设800MHz的信号，空间波长为375nm，则玻璃环氧树脂电路板上的波长会缩短为:
375×0.456=171nm
*实际波长可用实效比诱电率计算
实际电路板若是由micro strip line构成的场合，由于电界会外漏至诱电体电路板外面临造成诱电率下降，该诱电率称为实效比诱电率。电路板上的缩短率SPCB 可用下式表示:
表2是1GHz常用的CEM-3与12GHz BS converter常用的PPO，利用MEL的SNAP高频仿真器计算两者实效比诱电率的结果；表3是根据实效比诱电率的计算结果，计算1G Hz与12GHz信号在印刷电路板上的波长。根据仿真分析结果显示传至印刷pattern的高频信号波长，对电路板的材质具有很高的相关性。
诱电体的厚度(t=mm)
实效比诱电率( εr )
特性阻抗 Zo ( Ω )
Line宽度 W(mm)
0.6
3.246
50.07
1.143
1
3.256
50.08
1.92
(a)CEM-3, εr = 4.3,铜箔厚度18μm，频率1GHz
诱电体的厚度(t=mm)
实效比诱电率( εr )
特性阻抗 Zo ( Ω )
Line宽度 W(mm)
0.6
2.591
50.06
1.396
1
2.669
50.06
2.289
(b)PPO,εr = 3.2 ,铜箔厚度18μm，频率10GHz
表2 典型的两种印刷电路板的实效比诱电率
频率
空间波长(λair)
电路板上的波长
(GHz)
SPCB (mm)
SPCB / 4(mm)
1
300
166.5
41.6
12
15.5
3.9
表3 电路板上与空气中的波长差异
很多时候，PCB走线中途会经过过孔、测试点焊盘、短的stub线等，都存在寄生电容，必然对信号造成影响。走线中途的电容对信号的影响要从发射端和接受端两个方面分析，对起点和终点都有影响。
首先按看一下对信号发射端的影响。当一个快速上升的阶跃信号到达电容时，电容快速充电，充电电流和信号电压上升快慢有关，充电电流公式为：I=C*dV/dt。电容量越大，充电电流越大，信号上升时间越快，dt越小，同样使充电电流越大。
我们知道，信号的反射与信号感受到的阻抗变化有关，因此为了分析，我们看一下，电容引起的阻抗变化。在电容开始充电的初期，阻抗表示为：
这里dV实际上是阶跃信号电压变化，dt为信号上升时间，电容阻抗公式变为：
从这个公式中，我们可以得到一个很重要的信息，当阶跃信号施加到电容两端的初期，电容的阻抗与信号上升时间和本身的电容量有关。
通常在电容充电初期，阻抗很小，小于走线的特性阻抗。信号在电容处发生负反射，这个负电压信号和原信号叠加，使得发射端的信号产生下冲，引起发射端信号的非单调性。
对于接收端，信号到达接收端后，发生正反射，反射回来的信号到达电容位置，那个样发生负反射，反射回接收端的负反射电压同样使接收端信号产生下冲。
为了使反射噪声小于电压摆幅的5%（这种情况对信号影响可以容忍），阻抗变化必须小于10%。那么电容阻抗应该控制在多少？电容的阻抗表现为一个并联阻抗，我们可以用并联阻抗公式和反射系数公式来确定它的范围。对于这种并联阻抗，我们希望电容阻抗越大越好。假设电容阻抗是PCB走线特性阻抗的k倍，根据并联阻抗公式得到电容处信号感受到的阻抗为：
阻抗变化率为：
，即
，也就是说，根据这种理想的计算，电容的阻抗至少要是PCB特性阻抗的9倍以上。实际上，随着电容的充电，电容的阻抗不断增加，并不是一直保持最低阻抗，另外，每一个器件还会有寄生电感，使阻抗增加。因此这个9倍限制可以放宽。在下边的讨论中假设这个限制是5倍。
有了阻抗的指标，我们就可以确定能容忍多大的电容量。电路板上50欧姆特性阻抗很常见，我就用50欧姆来计算。
得出：
即在这种情况下，如果信号上升时间为1ns，那么电容量要小于4皮法。反之，如果电容量为4皮法，则信号上升时间最快为1ns，如果信号上升时间为0.5ns，这个4皮法的电容就会产生问题。
这里的计算只不过是为了说明电容的影响，实际电路中情况十分复杂，需要考虑的因素更多，因此这里计算是否精确没有实际意义。关键是要通过这种计算理解电容是如何影响信号的。我们对电路板上每一个因素的影响都有一个感性认识后，就能为设计提供必要的指导，出现问题就知道如何去分析。精确的评估需要用软件来仿真。
总结：
1 PCB走线中途容性负载使发射端信号产生下冲，接收端信号也会产生下冲。
2 能容忍的电容量和信号上升时间有关，信号上升时间越快，能容忍的电容量越小。
首先按看一下对信号发射端的影响。当一个快速上升的阶跃信号到达电容时，电容快速充电，充电电流和信号电压上升快慢有关，充电电流公式为：I=C*dV/dt。电容量越大，充电电流越大，信号上升时间越快，dt越小，同样使充电电流越大。
我们知道，信号的反射与信号感受到的阻抗变化有关，因此为了分析，我们看一下，电容引起的阻抗变化。在电容开始充电的初期，阻抗表示为：
这里dV实际上是阶跃信号电压变化，dt为信号上升时间，电容阻抗公式变为：
从这个公式中，我们可以得到一个很重要的信息，当阶跃信号施加到电容两端的初期，电容的阻抗与信号上升时间和本身的电容量有关。
通常在电容充电初期，阻抗很小，小于走线的特性阻抗。信号在电容处发生负反射，这个负电压信号和原信号叠加，使得发射端的信号产生下冲，引起发射端信号的非单调性。
对于接收端，信号到达接收端后，发生正反射，反射回来的信号到达电容位置，那个样发生负反射，反射回接收端的负反射电压同样使接收端信号产生下冲。
为了使反射噪声小于电压摆幅的5%（这种情况对信号影响可以容忍），阻抗变化必须小于10%。那么电容阻抗应该控制在多少？电容的阻抗表现为一个并联阻抗，我们可以用并联阻抗公式和反射系数公式来确定它的范围。对于这种并联阻抗，我们希望电容阻抗越大越好。假设电容阻抗是PCB走线特性阻抗的k倍，根据并联阻抗公式得到电容处信号感受到的阻抗为：
阻抗变化率为：
，即，也就是说，根据这种理想的计算，电容的阻抗至少要是PCB特性阻抗的9倍以上。实际上，随着电容的充电，电容的阻抗不断增加，并不是一直保持最低阻抗，另外，每一个器件还会有寄生电感，使阻抗增加。因此这个9倍限制可以放宽。在下边的讨论中假设这个限制是5倍。有了阻抗的指标，我们就可以确定能容忍多大的电容量。电路板上50欧姆特性阻抗很常见，我就用50欧姆来计算。
得出：
即在这种情况下，如果信号上升时间为1ns，那么电容量要小于4皮法。反之，如果电容量为4皮法，则信号上升时间最快为1ns，如果信号上升时间为0.5ns，这个4皮法的电容就会产生问题。
这里的计算只不过是为了说明电容的影响，实际电路中情况十分复杂，需要考虑的因素更多，因此这里计算是否精确没有实际意义。关键是要通过这种计算理解电容是如何影响信号的。我们对电路板上每一个因素的影响都有一个感性认识后，就能为设计提供必要的指导，出现问题就知道如何去分析。精确的评估需要用软件来仿真。
总结：
1 PCB走线中途容性负载使发射端信号产生下冲，接收端信号也会产生下冲。
2 能容忍的电容量和信号上升时间有关，信号上升时间越快，能容忍的电容量越小。
